国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

新聞中心

EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 電源完整性設(shè)計(jì)1

電源完整性設(shè)計(jì)1

作者: 時(shí)間:2012-02-07 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

17.gif
這一寄生電感比很多小封裝電容自身的寄生電感要大,必須考慮它的影響。過(guò)孔的直徑越大,寄生電感越小。過(guò)孔長(zhǎng)度越長(zhǎng),電感越大。下面我們就以一個(gè)0805封裝0.01uF電容為例,計(jì)算安裝前后諧振頻率的變化。參數(shù)如下:容值:C=0.01uF。電容自身等效串聯(lián)電感:ESL=0.6 nH。安裝后增加的寄生電感:Lmount=1.5nH。

電容的自諧振頻率:

18.gif

安裝后的總寄生電感:0.6+1.5=2.1nH。注意,實(shí)際上安裝一個(gè)電容至少要兩個(gè)過(guò)孔,寄生電感是串聯(lián)的,如果只用兩個(gè)過(guò)孔,則過(guò)孔引入的寄生電感就有3nH。但是在電容的每一端都并聯(lián)幾個(gè)過(guò)孔,可以有效減小總的寄生電感量,這和安裝方法有關(guān)。

安裝后的諧振頻率為:

19.gif
可見(jiàn),安裝后電容的諧振頻率發(fā)生了很大的偏移,使得小電容的高頻去耦特性被消弱。在進(jìn)行電路參數(shù)時(shí),應(yīng)以這個(gè)安裝后的諧振頻率計(jì)算,因?yàn)檫@才是電容在電路板上的實(shí)際表現(xiàn)。

安裝電感對(duì)電容的去耦特性產(chǎn)生很大影響,應(yīng)盡量減小。實(shí)際上,如何最大程度的減小安裝后的寄生電感,是一個(gè)非常重要的問(wèn)題,本文后面還要專門討論。

(7)局部去耦方法

局部去耦設(shè)計(jì)方法

我們從一個(gè)典型邏輯電路入手,討論局部退耦設(shè)計(jì)方法。圖7是典型的非門(NOT GATE)電路。當(dāng)輸入(Input)低電平時(shí),Q1打開(kāi),拉低Q2的基極,因此Q4的基極被拉低,Q3打開(kāi),輸出(Output)高電平。

20.jpg

圖7 非門內(nèi)部邏輯

實(shí)際電路設(shè)計(jì)中,器件之間相互連接構(gòu)成完整系統(tǒng),因此器件之間必然存在相互影響。作為例子,我們級(jí)聯(lián)兩個(gè)非門,如圖8所示,看看兩個(gè)器件之間怎樣相互影響。理想的情況應(yīng)該是:第一個(gè)非門輸入邏輯低電平(邏輯0),其輸出為高電平,第二個(gè)非門輸入為第一個(gè)的輸出,也為高電平,因此第二個(gè)非門輸出低電平。

為保證邏輯電路能正常工作,表征電路邏輯狀態(tài)的電平值必須落在一定范圍內(nèi)。比如對(duì)于3.3V邏輯,高電平大于2V為邏輯1,低電平小于0.8V為邏輯0。當(dāng)邏輯門電路的輸入電平處于上述范圍內(nèi)時(shí),電路能保證對(duì)輸入邏輯狀態(tài)的正確判斷。當(dāng)電平值處于0.8V到2V之間時(shí),則不能保證對(duì)輸入邏輯狀態(tài)的正確判斷,對(duì)于本例的非門來(lái)說(shuō),其輸出可能是邏輯0,也可能是邏輯1,或者處于不定態(tài)。因此輸入電平超出規(guī)定范圍時(shí),可能發(fā)生邏輯錯(cuò)誤。

邏輯電路在設(shè)計(jì)時(shí)采用了很多技術(shù)來(lái)保證器件本身不會(huì)發(fā)生這樣的錯(cuò)誤。但是,當(dāng)器件安裝到電路板上,板級(jí)系統(tǒng)的其他因素仍可能導(dǎo)致類似錯(cuò)誤的發(fā)生。圖8中級(jí)聯(lián)的兩個(gè)非門共用端Vcc和接地端GND。Vcc到每個(gè)非門供電引腳間都會(huì)存在寄生電感,每個(gè)非門的地引腳到GND之間也同樣存在寄生電感。在實(shí)際板級(jí)電路中設(shè)計(jì)中,寄生電感不可避免,平面、地平面、過(guò)孔、焊盤、連接焊盤的引出線都會(huì)引入額外的寄生電感。圖8已經(jīng)畫(huà)出了電源端和地端的寄生電感。當(dāng)?shù)谝粋€(gè)非門輸入高電平,其輸出低電平。此時(shí)將會(huì)形成圖中虛線所示的電流通路,第一個(gè)非門接地處寄生電感上的電壓為:V=L*di/dt。這里i為邏輯轉(zhuǎn)換過(guò)程形成的瞬態(tài)電流。如果電路轉(zhuǎn)換過(guò)程非??欤ǜ咚倨骷?nèi)部晶體管轉(zhuǎn)換時(shí)間已經(jīng)降到了皮秒級(jí)),di/dt將是個(gè)很大的值,即使很小的寄生電感L也會(huì)在電感兩端感應(yīng)出很大的電壓V。對(duì)于一些大規(guī)模邏輯芯片,接地引腳是內(nèi)部非常多的晶體管共用的,這些晶體管同時(shí)開(kāi)關(guān)的話,將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流,再加上極快的轉(zhuǎn)換時(shí)間,寄生電感上的感應(yīng)電壓更大。此時(shí)第一個(gè)非門的輸出信號(hào)電平為:非門本身低電平電壓+寄生電感上的電壓。如果這一值接近2V,可能會(huì)被第二個(gè)非門判斷為邏輯1,從而發(fā)生邏輯錯(cuò)誤。



關(guān)鍵詞: 設(shè)計(jì) 完整性 電源

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉