基于溫度補償?shù)臒o運放低壓帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計
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3 改進的無運放低電壓帶隙基準(zhǔn)電路
為了使電路的功耗進一步降低，提出了一種無運放低電壓基準(zhǔn)電路，將圖2中的負(fù)載結(jié)構(gòu)放入該基準(zhǔn)電路中，得到如圖3中的改進的無運放帶隙基準(zhǔn)電路，此電路中流過節(jié)點X和Y的電流分別為sI，s為常數(shù)，其大小可通過改變相關(guān)MOS管的寬長比調(diào)節(jié)，令流過管M3a與管M4a的電流均為sk1I，流過管M3b與管M4b的電流均為sk2I，可通過調(diào)節(jié)k1與k2的值來調(diào)節(jié)流過電阻R4的電流，改進的帶隙基準(zhǔn)電路可以更好的調(diào)節(jié)電路中各支路電流的大小，從而可以更精確的得到需要的基準(zhǔn)電流值和基準(zhǔn)電壓值?；鶞?zhǔn)電流Iref和基準(zhǔn)電壓Vrer分別表示為：
由式(10)和(11)可知，基準(zhǔn)電壓Vref和基準(zhǔn)電流Iref有不同的溫度補償方式，如果要求Vref和Iref同時與溫度零相關(guān)，必須滿足以下條件：
式中VbG0約為1．25 V，對于設(shè)計所需要的基準(zhǔn)電流值，根據(jù)式(15)可以更好地選擇薄膜電阻值的大小。本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/160474.htm
4 電路仿真結(jié)果
本文設(shè)計的帶隙基準(zhǔn)源的整體版圖如圖4所示。
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