符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的nvSRAM是高耐用性、無需電池的非易失存儲器

2006年5月25日    北京訊
    今天，賽普拉斯半導(dǎo)體公司(Cypress Semiconductor Corp.)宣布推出首款非易失性SRAMs（nvSRAMs），該存儲器在斷電情況下，無需電池就能實(shí)現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲。由于不再需要外部電池，因此Cypress提供的符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的高速器件比其他備選解決方案所采用的封裝尺寸更小。nvSRAM理想適用于要求連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入且確保非易失數(shù)據(jù)絕對安全的任何應(yīng)用，如獨(dú)立磁盤冗余陣列 (RAID)應(yīng)用、復(fù)印機(jī)、PoS終端、手持式儀表和消費(fèi)類電子產(chǎn)品等。

    賽普拉斯的nvSRAMs采用外部電容上存儲的電荷而不是電池供電，從而，我們就可以采用標(biāo)準(zhǔn)PCB組裝工藝來制造該器件，從而大大節(jié)約成本。該器件最少能保存數(shù)據(jù)20年之久。nvSRAMs具有極短的存取時間(25 ns)，可提供1MB/3V、256KB/3V、256KB/5V、64KB/5V和16KB/5V等各種配置。該器件具有高度可擴(kuò)展性，所有配置均采用32引腳SOIC封裝，而1MB和256KB版還提供48引腳SSOP封裝。

    賽普拉斯負(fù)責(zé)非易失存儲器的副總裁Tom Surrette指出：“作為在SRAM和非易失存儲器領(lǐng)域長期的領(lǐng)先者，Cypress已占據(jù)有利地位。憑借其高速和小型封裝，以及其高可靠性和便于集成到客戶的制造流程中，nvSRAMs正迅速贏得市場的肯定?！?

    在RAID應(yīng)用中，nvSRAM在提供高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐瑫r還能確保斷電情況下的數(shù)據(jù)完整性。對復(fù)印機(jī)而言，nvSRAM提供了較快的數(shù)據(jù)存取速度，不再需要電池。手持式儀表也受益于nvSRAM提供的數(shù)據(jù)緩存功能，能快速存取上傳到服務(wù)器的數(shù)據(jù)。如欲了解關(guān)于Cypress nvSRAM產(chǎn)品系列的更多信息，敬請訪問以下網(wǎng)址：www.cypress.com/NVM。

   供貨情況
Cypress的nvSRAM系列目前已提供樣品，預(yù)計于2006年6月開始投產(chǎn)。批量為 1000 片時，16KB nvSRAM器件的單價不足7美元。如查看nvSRAM部件照片，請訪問網(wǎng)址：www.cypress.com/NVSRAMphoto。