第二版芯片所做改進(jìn)及測(cè)試結(jié)果

　　第二版芯片對(duì)第一版芯片參考電壓電路的版圖進(jìn)行了修正，如圖5所示，本來(lái)第1級(jí)DAC的參考電壓是從節(jié)點(diǎn)2和3引入的，現(xiàn)在改成從第2級(jí)的參考電壓上接入，即從節(jié)點(diǎn)1和4上接入，這樣ADC各級(jí)電路DAC的參考電壓均相等。

　　如圖6所示，在15.5MHz輸入信號(hào)頻率和20MHz采樣率下測(cè)得DNL和INL分別為-0.22/+0.21LSB和-0.62/+0.46LSB.

　　圖7是在15.5MHz輸入，100MHz采樣率的情況下測(cè)得的32768點(diǎn)FFT頻譜圖，由圖可知，SFDR達(dá)到了79.8dBc，SNDR為65.1dB，有效位數(shù)ENOB為10.5bit。

　　圖8給出了SFDR和SNDR隨采樣率變化的值，在2.41MHz輸入信號(hào)時(shí)，SFDR在100MHz采樣率范圍內(nèi)均保持在86dBc以上，而ENOB均大于10.9bit;對(duì)于15.5MHz的輸入信號(hào)，SFDR保持在78dBc以上，而ENOB從50MHz采樣率時(shí)的10.8bit降到了100MHz采樣率時(shí)的10.5bit。

　　圖9是該芯片的顯微照片，表1列出了第二版芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。