2002年11月，我國(guó)直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制實(shí)現(xiàn)零突破 作者： 時(shí)間：2010-01-07 來源：電子產(chǎn)品世界 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 2002年11月，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所率先研制成功直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)直徑6英寸半絕緣砷化鎵單晶研制零的突破。
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